Арсенид галлия (GaAs)
Монокристаллы арсенида галлия предназначены для использования в производстве дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, дискретных и матричных фотоприемников, светодиодов, фотокатодов, преобразователей солнечной энергии, детекторов ионизирующих излучений, оптических изделий для ввода-вывода, фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.
| Метод выращивания | Метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC) | |||
| Кристаллогра-фическая ориентация оси слитка | (100), (111), (110), (211), (310) | |||
| Номинал диаметра слитка, мм | 50,8; 76,2 | |||
| Материал | полуизолирующий | полупроводящий | ||
| легирующая примесь |
нелегированный | Si или Те | Zn | |
| тип проводимости | n | n | p | |
| концентрация носителей заряда, см-3 | — | 1×1017-3×1018 | 1х1017-3×1019 | |
| удельное сопротивление, Ом·см | >1×107 | — | — | |
| подвижность, см2/В·с |
>5000 | 4200-1200 | 170-40 | |
| плотность дисло-каций, см-2 | Ø 50.8 мм
Ø 76.2 мм |
<5×104
<8×104
|
<5×104
<8×104
|
<5×104
<8×104
|
Возможна поставка монокристаллов с параметрами, отличающимися от указанных в таблице.