Эпитаксиальные слои CdHgTe
Параметры эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe n и p-типа проводимости (опытно-промышленное производство)
| Размеры рабочей поверхности, мм2 | 1) ø30, 20×20
2) ø37, 25×25 3) ø45, 30×30 |
| Номинальное значение толщины эпитаксиального слоя, мкм | 15±5 |
| Состав, мол. доля CdTe, х | х1: от 0,190 до 0,230
х2: от 0,260 до 0,350 |
| Однородность состава по площади, мол. доля CdTe, Δx | ±0,002 |
| Тип электропроводности | n (н/л, легированный In),
p (вакансионный) |
| Концентрация основных носителей заряда при 77 К, см-3 | n=(1,0÷5,0) × 1014 (для х1)
p=(0,5÷2,0) × 1016 (для х1) p=(1,0÷5,0) × 1016 (для х2) |
| Подвижность основных носителей заряда при 77 К, см2/В×с | µn≥1,0×105 (для х1)
µp≥450 (для х1) µp≥300 (для х2) |
| Время релаксации фотопроводимости (77К), с | более 5×10-7(n-тип)
более 3×10-8(p-тип) |
| Плотность дислокаций, см-2 | менее 5×104 |
| Отклонение от плоскостности рабочей поверхности эпитаксиального слоя на базовой длине 25 мм, мкм | не более 3 |
| Малоугловые границы, включения второй фазы, сколы, раковины, капли раствора-расплава | отсутствуют |
Возможный объем производства: до 1000 см2/год.
Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм.
Потребители продукции: ОАО «МЗ «Сапфир», ФГУП «НПО «Орион», ФГУП «НПО «Альфа».