В лаборатории разработана технология получения монокристаллов арсенида галлия. Нелегированный арсенид галлия с высоким удельным сопротивлением является базовым материалом для производства дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона.

Для получения указанных материалов используют метод выращивания монокристаллов по способу Чохральского на ориентированную затравку из-под слоя жидкого флюса (LEC).

Производственные мощности лаборатории обеспечивают возможность проведения исследовательских и опытно-промышленных работ при получении монокристаллов полуизолирующего и легированного GaAs диаметром до 100 мм в объемах до 150-250 кг в год с параметрами по ТЗ заказчика, а также арсенида индия InAs диаметром до 100 мм в объемах до 80 кг/год.