К настоящему времени в лаборатории разработаны технологии производства методом ЖФЭ эпитаксиальных структур с фоточувствительным слоем КРТ как p-, так и n-типа электропроводности, которые обеспечивают выпуск гетероструктур с параметрами, удовлетворяющими современным требованиям разработчиков ИК фотоприемников и матричных фотоприемных устройств. По разработанным технологиям на производственной базе АО «Гиредмет» организовано производство эпитаксиальных структур с размерами рабочей поверхности 20х20 мм², 25х25 мм², 30х30 мм², 35х40 мм², осуществляются поставки эпитаксиальных структур в заинтересованные организации.

Выращивание эпитаксиального слоя КРТ проводится из раствора расплава на основе теллура на подложку КЦТ, согласованную по периоду кристаллической решетки с эпитаксиальным слоем. Управление электрофизическими и фотоэлектрическими свойствами эпитаксиальных слоев осуществляется введением легирующих добавок индия или галлия (для эпитаксиальных слоев n-типа электропроводности) и термообработкой гетероструктур в парах ртути.

Поскольку и изготовление подложек, и проведение процессов ЖФЭ сосредоточены в одном месте, это позволяет оперативно решать возникающие задачи и при необходимости быстро корректировать технологические режимы.

В русле современных тенденций развития ИК-техники в ближайшие планы лаборатории по развитию разработок и производства подложек КЦТ и гетероструктур с фоточувствительным слоем КРТ входят:

• разработка технологии и организация серийного производства кристаллов и подложек КЦТ с кристаллографической ориентацией <211> для выращивания эпитаксиальных слоев КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
• расширение производства эпитаксиальных структур КРТ методом ЖФЭ.
• разработка технологии выращивания и освоение производства легированных эпитаксиальных слоев КРТ для высокотемпературных ИК фотоприемных устройств.
• разработка технологии выращивания методом ЖФЭ многослойных гетерокомпозиций для мультиспектральных ИК фотоприемных устройств.