Оригинальная рециркуляционная технология обеспечивает безотходное ведение процесса и гарантирует отсутствие загрязнения окружающей среды. Ведение процесса в рециркуляционном режиме позволяет достичь скорости осаждения до 1 мм/час.

Покрытия из карбида кремния наносятся на поверхности изделий из углеграфитовых и других материалов методом газофазного химического осаждения. Технология изготовления тепловых узлов позволяет повысить их стойкость и чистоту процесса получения монокристаллов полупроводников.

Получаемое покрытие состоит из чистого SiC стехиометрического состава и не содержит в кристаллической решетке примесных атомов. Покрытие является газонепроницаемым. Технология обеспечивает плотность покрытий 3,2 г/см3, толщину покрытий 0,1-1,0 мкм и пористость <1%.