Для интегральных схем наноэлектроники нового поколения требуется создание барьерного материала, который в настоящее время отсутствует. Необходимо обеспечить миниатюризацию интегральных схем, что позволит разработать приборы и устройства нового поколения.

Разработана опытная технология высокочистого тетрахлорида гафния.