Создание масштабируемых для промышленного производства технологий непрерывного получения Ni-W ленты RABiTS, буферных слоев методом PAND и YBCO покрытия методом PLD для получения качественно новых образцов наноструктурированных сверхпроводящих лент второго поколения на основе высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) материалов с величиной критического тока, оптимизированной для различных диапазонов температур и магнитных полей. Разработки новых нанотехнологий создания токонесущих элементов на основе сверхпроводящих материалов, отвечающих современным тенденциям развития электроэнергетики, предназначенных для широкого использования в экологически чистых линиях электропередачи, трансформаторах, накопителях энергии, ограничителях тока, моторах, генераторах, соленоидах, транспортных системах и др.
Разработка технологии формирования буферных слоев сверхпроводящих покрытий для производства ВТСП проводов 2-го поколения