Эпитаксиальные слои GaN
Приборы на основе GaN, такие как высокоэффективные светодиоды и инжекционные лазеры на видимую/ультрафиолетовую область спектра, УФ фотоприёмники, мощные СВЧ-транзисторы в ближайшие десятилетия будут определять развитие опто- и СВЧ-электроники. В России объявлена президентская программа «Новый свет», важнейшей частью которой должно стать массовое производство светодиодов на основе нитрида галлия.
Параметры структур для квазиподложек нитрида галлия
| Тип структуры | n – Al2O3 (подложка) n – GaN (эпитаксиальный слой) |
| Параметры подложки: | |
| плоскость ориентации | c (0001) r (1012) |
| толщина, мкм | 430 |
| Буферный слой Ti, нм | 30 |
| Параметры эпитаксиального слоя: | |
| концентрация носителей заряда, см-3 | (300К)>1018 |
| толщина, мкм | 300-400 |
| Площадь структуры, см2 | 20 |
Схема реактора для получения квазиподложек нитрида галлия.
