Антимонид галлия (GaSb)
Монокристаллы антимонида галлия используются в производстве разнообразных оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, лазеров, в том числе, квантово-каскадных) «среднего» ИК-диапазона (длины волн 2-4 мкм), используемых в научных исследованиях, для экологического мониторинга (сенсоры разнообразных химических соединений в газовой атмосфере) и в военной технике. Еще одна область применения — производство термофотовольтаических приборов, преобразующих энергию излучения тепловых источников в ИК-диапазоне спектра в электрическую.
Метод выращивания | Метод Чохральского | |||
Кристаллогра-фическая ориентация оси слитка | (100), (111) | |||
Номинал диаметра слитка, мм | 50,8 | |||
Материал | нелегированный | легированный | ||
легирующая примесь |
нет | Te | Si или Ge | |
тип проводимости | p | n | p | |
концентрация носителей заряда, см-3 | ≤2х1017(300K) ≤2х1016(77K) |
2×1017-1,2×1018 | 3х1017-1×1019 | |
подвижность, см2/В·с |
≥700 (300K) ≥2000 (77K) |
2500-3500 | 1000-250 | |
плотность дислокаций, см-2 |
≤5×103
|
≤2×103
|
≤2×103
|
Возможна поставка монокристаллов с параметрами, отличающимися от указанных в таблице.