Эпитаксиальные слои InGaAsSb/GaSb
Параметры эпитаксиальных структур InGaAsSb/GaSb для фотоприемников на спектральный диапазон 1,6÷2,4 мкм
| Тип структуры | n GaSb (подложка), n In0,24Ga0,76As0,21Sb0,79 p In0,24Ga0,76As0,21Sb0,79 (I) p GaSb (II) |
| Параметры подложки: | |
| плоскость ориентации | <100>±10′ |
| концентрация носителей заряда, см-3 | (0,5÷1)·1018 |
| толщина подложки в эпитаксиальной структуре, мкм | 500±20 |
| Параметры эпитаксиального слоя (I): | |
| тип проводимости | n |
| толщина области, мкм | 2÷3 |
| тип проводимости | p |
| толщина области, мкм | 0,5÷1,0 |
Возможный объем производства: до 500 см2/год.
Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный на спектральный диапазон 1,6÷2,4 мкм, работающих при комнатной температуре.