Арсенид индия (InAs)
Область применения монокристаллов арсенида индия — производство фотоприемников, фотодиодов и лазеров инфракрасной области спектра, а также электронно-оптических преобразователей.
| Метод выращивания | Метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC) | |||
| Кристаллогра-фическая ориентация оси слитка | (100), (111) | |||
| Номинал диаметра слитка, мм | 50,8; 76,2 | |||
| Материал | нелегированный | легированный | ||
| легирующая примесь |
нет | S | Zn или Mn | |
| тип проводимости | n | n | p | |
| концентрация носителей заряда (77К), см-3 | ≤3х1016 | 1×1017-3×1018 | 1х1017-5×1019 | |
| подвижность (77К), см2/В·с |
≥40000 | ≥10000 | ≥100 | |
| плотность дисло-каций, см-2 | Ø 50.8 мм
Ø 76.2 мм |
<5×104
<8×104
|
<5×104
<8×104
|
<5×104
<8×104
|
Возможна поставка монокристаллов с параметрами, отличающимися от указанных в таблице.