Исследования - ГИРЕДМЕТ
Исследования

Институт «Гиредмет» достиг высокой научно-технической эффективности в разработке наукоемких технологий редких, редкоземельных и драгоценных металлов и их соединений.

Мы проводим детальное изучение вещественного состава руд редких, цветных и черных металлов, нерудного сырья, установление методами технологической минералогии главных технологических свойств руд и выбор наиболее рациональных и эффективных способов обогащения и металлургической переработки.

Институт проводит работы по созданию комбинированных (сочетающих методы обогащения и гидрометаллургии) способов эффективной переработки техногенных отходов.

Нашими учеными разработаны методы глубокой очистки и выращивания монокристаллов галогенидов серебра и таллия, используемых для создания разнообразных оптических приборов. Ими проводятся исследования, направленные на разработку технологий синтеза и очистки неорганических соединений, получением веществ особой чистоты.

Специалисты «Гиредмета» разрабатывают технологии получения материалов для традиционных и альтернативных видов энергетики. Ими также создана технология получения монокристаллов арсенида галлия, который является базовым материалов для производства дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона.

Разрабатываемые в Институте рецептуры люминесцентных материалов на основе соединений редкоземельных металлов имеют многоцелевое назначение и могут быть использованы в медицине, растениеводстве, криминалистике.

Ученые нашего Института занимаются исследованиями физических свойств, структуры и локального состава полупроводниковых материалов, сплавов и соединений на основе редких металлов, ведут разработку новых материалов для электронной, электротехнической и химической промышленности.

В «Гиредмете» решаются фундаментальные задачи изучения процессов образования и взаимодействия дислокаций. Мы обладаем широким набором современных методов исследования структурных особенностей и разнообразных свойств монокристаллов, пластин и эпитаксиальных структур полупроводниковых и диэлектрических материалов.