Цель исследования — разработка научных основ и технологии создания эффективных геттерирующих сред для быстродиффундирующих примесей в пластинах кремния большого диаметра, выращенного методом Чохральского, с учетом особенностей взаимодействия структурных дефектов, вызванных внешним воздействием, и дефектов структуры исходных монокристаллов. Исследование закономерностей образования микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния.

Применение новых технологических приемов обеспечит существенное (в ряде случаев 2-3 кратное) повышение выхода годных дискретных полупроводниковых приборов и СБИС, изготовляемых из этого материала.

Полученные результаты лягут в основу практических рекомендаций по выбору оптимальных режимов выращивания монокристаллов кремния большого диаметра с контролируемой дефектной структурой, предназначенных для производства сверхбольших интегральных схем.