:
موقع هيكل
اتصل بنا
РУС
ENG
中文
فارسی
باللغة العربية
Structure
أقسام المعهد JSC «Giredmet»
Об институте
Научная структура
Центр коллективного пользования
Сотрудничество
Документы
Противодействие коррупции
Совет молодых ученых и специалистов
Награды и дипломы
Экология
Руководство
Продажа непрофильного имущества
Вакансии
Конференция "Сажинские чтения"
Исследования
Разработки и проекты
Патенты
Технические условия
Участие в федеральных целевых программах
Продукция и услуги
Оборудование
Технологические решения
Продукция
Технология получения поликристаллического кремния
Специальное оборудование для производства полупроводников и металлов
Арсенид галлия (GaAs)
Арсенид индия (InAs)
Антимонид галлия (GaSb)
Антимонид индия (InSb)
Галогениды таллия и серебра
Германий
Кристаллы кадмий-цинк-теллур (CdZnTe)
Подложки CdZnTe
Эпитаксиальные слои CdHgTe
Эпитаксиальные слои InGaAsSb/GaSb
Эпитаксиальные слои GaN
Высокочистые соединения
Ниобий высокой чистоты
Индий высокой чистоты
Галлий высокой чистоты
Рений
Никелевые лигатуры
Титановые припои
Водоактивируемые химические источники тока
Нанопорошки редких металлов
Обогащение рудного и техногенного сырья
Разработка электрических схем и изготовление настенных и напольных шкафов управления
Особо чистые вещества и материалы различного функционального назначения, включая электронику и фотонику
Анализ и сертификация
Предоставляемые услуги
Оборудование
Наши партнеры
Метрологическая служба
Проектный комплекс
Структура проектного комплекса
Перечень выполняемых работ
Поставщикам
Новости
Закупки
Документы
Годовая программа закупок атомной отрасли
Контроль и арбитраж
Обучение
Контакты
تصميم المشاريع
تصميم المشاريع
Structure
أقسام المعهد JSC «Giredmet» 