\"\"
:
ИсследованияПатенты

Патенты

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГАЛЛИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (2583574)

Патент РФ на изобретение № 2583574

Опубл. 10.05.2016г.

Патентообладатель: Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности АО "Гиредмет" (RU)

Авторы: Гасанов Ахмедали Амиралы оглы (RU),
Горбачёва Надежда Семёновна (RU),
Калимулин Виктор Саввич (RU),
Кознов Георгий Георгиевич (RU),
Почтарёв Александр Николаевич (RU),
Рыцарев Владимир Викторович (RU),
Синицын Андрей Борисович (RU)

Способ получения галлия высокой чистоты, включающий кристаллизационную очистку технического галлия, отличающийся тем, что перед кристаллизационной очисткой технический галлий подвергают вакуум-термической обработке в вакуумной камере с размещением в ней графитовых тиглей, соосно расположенных один над другим, причем тигли, расположенные над нижним тиглем, выполнены с цилиндрическим выступом в центре дна тиглей и с отверстиями по его периметру на боковой поверхности, технический галлий загружают в нижний тигель, камеру вакуумируют до 1·10-3÷1·10-5 мм рт.ст., нагревают ее до температуры 1400-1500°C в области нижнего тигля и поддерживают данную температуру в течение 2-6 часов, при этом галлий после вакуум-термической обработки подвергают трехкратной кристаллизационной очистке методом направленной кристаллизации при скорости роста кристалла 1 см/час.