\"\"
:
ИсследованияПатенты

Патенты

Способ получения термоэлектрического материала n-типа на основе тройных твердых растворов Mg2Si1-xSnx (2533624)

Патент РФ на изобретение № 2533624
Опубл. 04.07.2013

Патентообладатель (и):
Открытое акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

Авторы:
Драбкин Игорь Абрамович (RU), Каратаев Владимир Викторович (RU), Лаврентьев Михаил Геннадьевич (RU), Освенский Владимир Борисович (RU), Пархоменко Юрий Николаевич (RU), Сорокин Александр Игоревич (RU)

Способ получения термоэлектрического материала n-типа на основе тройного твердого раствора Mg2Si1-xSnx, включающий механохимический синтез путем обработки исходных компонентов в высокоэнергетической шаровой мельнице и изготовление компакта под давлением при нагреве, отличающийся тем, что перед обработкой в высокоэнергетической шаровой мельнице смесь порошков исходных компонентов и легирующей примеси с контролируемым размером частиц и шары загружают в контейнер при соотношении масс шаров и смеси порошков исходных компонентов, равном (10-20):1, затем контейнеры с загрузкой охлаждают до температуры жидкого азота, охлажденные контейнеры устанавливают на шаровую мельницу и проводят механохимический синтез со скоростью вращения контейнеров с загрузкой 900-1200 об/мин в течение 8-10 мин, после чего контейнеры снова охлаждают до температуры жидкого азота и повторно устанавливают на шаровую мельницу и продолжают обработку материала в высокоэнергетической шаровой мельнице при тех же режимах, а полученный порошковый материал сначала компактируют в заготовку прессованием при комнатной температуре под давлением 100-150 МПа в течение 2-3 мин, затем заготовку нагревают в установке искрового плазменного спекания (SPS-спекание) со скоростью 150-200°С/мин до температуры 680-780°С под давлением 50-80 МПа в вакууме, выдерживают в течение 10-15 мин и охлаждают до комнатной температуры со скоростью охлаждения 30-50°С/мин.