\"\"
:
ИсследованияПатенты

Патенты

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава методом Чохральского (25341036)

Патент РФ на изобретение № 25341036
Опубл. 28.06.2013

Патентообладатель (и):
Открытое акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

Авторы:
Алимов Олег Михайлович (RU), Аношин Константин Евгеньевич (RU), Ежлов Вадим Сергеевич (RU)

Изобретение относится к устройствам для выращивания полупроводниковых материалов, в частности, германия и соединений на основе элементов III-VI групп периодической системы. Устройство содержит камеру 1, в которой размещены тигель 2 для расплава, по меньшей мере, один основной нагревательный элемент 4 для плавления исходного материала в тигле 2, дополнительный верхний нагревательный элемент 9. расположенный над расплавом в области фронта кристаллизации и имеющий форму кольцеобразного диска, на внутренней и/или на внешней боковых сторонах которого выполнены несквозные радиальные прорези, и. по меньшей мере, один теплоизолирующий экранирующий элемент 7, размещенный между боковыми сторонами основного нагревательного элемента 4 и камеры 1. Несквозные радиальные прорези внутренней боковой стороны и внешней боковойстороны верхнего нагревательного элемента 9 расположены чередующимся образом, так что радиальные прорези одной боковой стороны расположены между радиальными прорезями другой боковой стороны. Техническим результатом изобретения является обеспечение изготовления слитков увеличенного диаметра с ровной цилиндрической поверхностью, получение практически бездислокационных монокристаллов, имеющих плотность дислокации менее 200см-2 и равномерное распределение в объеме легирующих примесей. пригодных для получения полупроводниковых, в частности, германиевых, пластин диаметром не менее 100 мм и толшиной менее 160 мкм.