\"\"
:
ИсследованияПатенты

Патенты

Способ получения крупногабаритных малодислокационных монокристаллов антимонида галлия (2534106)

Патент РФ на изобретение № 2534106
Опубл. 24.07.2013

Патентообладатель (и):
Открытое акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

Авторы:
Ежлов Вадим Сергеевич (RU), Мильвидская Алла Георгиевна (RU), Молодцова Елена Владимировна (RU)

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодпых гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму оптоэлектронных приборов (источников и приемников излучения на спектральный диапазон 1.3-2.5 мкм). Способ включает синтез из исходных компонентов и выращивание монокристаллов методом Чохральского в атмосфере водорода на затравку, ориентированную в кристаллографическом направлении [100], при этом к исходным компонентам добавляют изовалентную примесь индия в виде особо чистого антимонида индия (InSb) в интервале концентраций элементарного индия (2-4)х1018 ат/см3, а синтез и выращивание монокристаллов осуществляют в едином технологическом цикле. Изобретение позволяет получать крупногабаритные малодислокациоппые монокристаллы антимонида галлия диаметром 60-65 мм с пониженной плотностью дислокаций порядка (4-5)·102 см-2.