\"\"
:
ИсследованияПатенты

Патенты

Способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия (2528995)

Патент РФ на изобретение № 2528995
Опубл. 20.09.2014

Патентообладатель (и):
Открытое акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

Авторы:
Ежлов Вадим Сергеевич (RU), Мильвидская Алла Георгиевна (RU), Молодцова Елена Владимировна (RU), Меженный Михаил Валерьевич (RU)

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида галлия, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и ln-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму оптоэлектронных приборов (источников и приемников излучения на спектральный диапазон 1,3-2,5 мкм). Способ включает синтез и выращивание монокристалла методом Чохральского в атмосфере водорода па затравку, ориентированную в кристаллографическом направлении [ 100], при этом синтез и получение монокристалла проводят в едином технологическом процессе со скоростью протока особо чистого водорода в интервале 80-100 л/час и времени выдержки расплава на стадии синтеза при температуре 930-940°С в течение 35-40 мин. Изобретение позволяет получать совершенные крупногабаритные монокристаллы антимонида галлия диаметром 60-65 мм.