\"\"
:
ИсследованияПатенты

Патенты

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава методом Чохральского (135650)

Патент РФ на изобретение № 135650
Опубл. 25.12.2012

 

Патентообладатель (и):
Открытое акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

 

Авторы:
Алимов Олег Михайлович (RU), Аношин Константин Евгеньевич (RU), Ежлов Вадим Сергеевич (RU)

 

1. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава методом Чохральского, содержащее камеру, в которой размещены: тигель для расплава, по меньшей мере, один основной нагревательный элемент для плавления исходного материала в тигле, дополнительный верхний нагревательный элемент, расположенный над расплавом в области фронта кристаллизации и имеющий форму кольцеобразного диска, на вну тренней и/или на внешней боковых сторонах которого выполнены несквозные радиальные прорези, по меньшей мере, один теплоизолирующий экранирующий элемент, размещенный между боковыми сторонами, по меньшей мере, одного основного агревательного элемента и камеры, и засыпку, размещенную смежно, по меньшей мере, с одним основным нагревательным элементом, и/или между теплоизолирующими экранирующими элементами, и/или между теплоизолирующим экранирующим элементом и боковой стороной камеры.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что несквозные радиальные прорези внутренней боковой стороны и внешней боковой стороны верхнего нагревательного элемента расположены чередующимся образом, так что радиальные прорези одной боковой стороны расположены между радиальными прорезями другой боковой стороны верхнего нагревательного элемента.

3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что угол между направлениями радиальных прорезей внутренней и внешней боковых сторон верхнего  нагревательного элемента составляет от 40° до 15°, предпочтительно 20°.

4. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что радиальные прорези внутренней боковой стороны и внешней боковой стороны верхнего нагревательного элемента расположены на одинаковом расстоянии друг от друга.

5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что внутренний диаметр кольцеобразного верхнего нагревательного элемента больше диаметра выращиваемого монокристалла, а внешний диаметр меньше внутреннего диаметра тигля, и глубина прорезей внутренней и внешней боковых сторон верхнего нагревательного элемента в радиальном направлении составляет от 1/2 до 3/4 разности внешнего и внутреннего диаметров верхнего нагревательного элемента.

6. Устройство по п.1 или 5, отличающееся тем, что радиальные прорези внутренней боковой стороны и внешней боковой стороны верхнего нагревательного элемента имеют одинаковую глубину в радиальном направлении.

7. Устройство по п.1 или 5, отличающееся тем, что радиальные прорези внутренней боковой стороны и внешней боковой стороны верхнего нагревательного элемента имеют ширину 2-6 мм.

8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что верхний нагревательный элемент с возможностью перемещения установлен на проходящих вертикально держателях, связанных с токовводами.

9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что засыпка, размещенная смежно, по меньшей мере, с одним основным нагревательным элементом, выполнена в виде слоя, расположенного на опоре нагревательного элемента.