:

Патенты

Способ получения полупроводниковых кристаллов типа АIIBVI (2380461)
Патент РФ на изобретение № 2380461
Опубл. 22.10.2008

 

Патентообладатель (и):
Открытое акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

 

Авторы:
Аверичкин Павел Андреевич, Коновалов Александр Аполлонович, Шлёнский Алексей Александрович, Шматов Николай Иванович

 

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения полупроводниковых кристаллов из расплавов для создания структурно-совершенных монокристаллических подложек, и может быть использовано при формировании эпитаксиальных структур и приготовлении рабочих тел электрооптических модуляторов, работающих в ИК-области спектра. Способ осуществляют методом вертикально-направленной кристаллизации в кварцевой ампуле с внутренним покрытием из чередующихся слоев à-SiO2 и à-SiO1.5:Cn, где n=1,0÷4,0, в донной части ампулы в покрытии выполнено отверстие диаметром 3-5 мм на всю высоту слоя покрытия, а кварцевую донную поверхность ампулы без покрытия предварительно активируют плавиковой кислотой. Техническим результатом изобретения является увеличение выхода монокристаллической части в слитках.


Возврат к списку