Патенты

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры. Способ включает кристаллизацию расплава в тигле на затравочный кристалл, расположенный в нижней части тигля и имеющий площадь поперечного сечения много меньше площади основного сечения тигля. В качестве затравочного кристалла используют монокристалл, в котором линии дислокации преимущественно расположены под углом от 45 градусов к вертикали и более: кроме того, в качестве затравочного кристалла может быть использован монокристалл, содержащий изовалентную легирующую примесь с концентрацией выше 1018 атом/см³. Технический результат изобретения заключается в снижении плотности дислокации в выращиваемых монокристаллах и, соответственно, повышении качества монокристаллов большого диаметра.