Разработки и проекты

 Исследованы процессы эпитаксиалъного роста и дефектообразования в структурах с толстыми слоями GaN, выращиваемых методом хлоридыой эпитаксии на подложках GaAs и сапфира. Проведены исследования закономеростей формирования зародышевого слоя на разных подложках, включая подложки с модифицированным рельефом ростовой поверхности, и развития рельефа на поверхности слоев, и идентификация структурных дефектов, что позволило уточнить их роль в возникновении макроскопических дефектов на ростовой поверхности слоев.

Установлено влияния условий роста тонкого буферного слоя на процессы зародышеобразования и коалесценции островков роста при образовании сплошного слоя. Определены требования к структурным характеристикам буферных слоев и направление поиска способов воздействия на растущий слой GaN с целью существенного понижения плотности дефектов.