:

Разработки и проекты

Исследование технологии создания квантовых наногетероструктур для излучателей среднего инфракрасного диапазона на основе AlGaAsSb/InGaAsSb, выращенных на подложке InGaSb для перспективных оптоэлектронных применений

Отработаны режимы изготовления пластин-подложек антимонида галлия для эпитаксиального наращивания. Отработаны режимы получения эпитаксиальной гетероструктуры A10,55Ga0,45As0,05Sb0,95 – In0,24Ga0,76As0,22Sb0,78 изопермодные с GaSb. Исследованы технологические факторы в условиях выращивания структур методом жидкофазной эпитаксий.

Получены монокристаллические однослойные эпитаксиальные структуры InGaSb/GaSb с содержанием индия в твердой фазе до 5,6 ат.% и двухслойные структуры с содержанием индия до 4ат.%. Получены однослойные и двухслойные монокристаллические структуры твердых растворов In1-xGaxSb в диапозоне составов х=0-0,03 для однослойной структуры и в диапозоне составов х=0-0,06 для двухслойной структуры. Получены трехслойные и четырехслойные композиции твердых растворов In1-xGaxSb. Показано, что наиболее совершенной с точки зрения параметров верхнего слоя с х=0,055 являются четырехслойная структура с полушириной КДО Вh/2 = 350 угл.сек.

Разработаны лабораторные методы рентгенодифрактометрических исследований эпитаксиальных композиций In1-xGaxSb, выращенных на подложках антимонида галлия, ориентированных в плоскости (100) и (111).

Проведены исследования в департаменте электротехники и компьютерной техники Нью-Йоркского государственного университета по созданию квантовой гетероструктуры.
 


Возврат к списку