:

Разработки и проекты

Разработка технологических основ получения высококачественны монокристаллов полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6 для перспективных приборных разработок

Исследованы особенности роста и характеристики толстых эпитаксиалъных слоев кубического нитрида галлия на подложках из арсенида галлия методом хлорид-гидридной эпитаксии.

Определены условия роста, обеспечивающие получение слоев кубического GaN толщиной свыше 150 мкм при скорости осаждения до 70 мкм/час.

Разработаны режимы выращивания слоев, представляющие собой технологическую основу для изготовления слоев кубического нитрида галлия.

Изготовлены и испытаны экспериментальные образцы.

Разработаны технологические основы выращивания экспериментальных образцов крупногабаритных кристаллов CdZnTe. Изготовлены и испытаны экспериментальные образцы кристаллов КЦТ с параметрами по ТЗ.

Разработаны технологические основы получения крупногабаритных монокристаллов арсенида индия и антимонида индия с высокой степенью однородности электрофизических параметров.

Изготовлены и испытаны экспериментальные образцы монокристаллов арсенида индия п-типа проводимости, а ташке антимонида индия п- и р-типа проводимости.


Возврат к списку