:

Разработки и проекты

Разработка технологии выращивания монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия с номиналом диаметра 76,2 мм в кристаллографическом направлении <310>

Изготовлена и испытана опытная партия монокристаллов с параметрами, отвечающими техническому заданию. По результатам испытаний опытной партии произведена корректировка рабочей технологической документации на получение монокристаллов, направленная на повышение извлекаемое материала при выращивании и повышение механической прочности слитков при механической обработке. Проведено опробование опытной партии монокристаллов в изготовлении полированных пластин. Показана возможностъ получения пластин с параметрами, отвечающими требованиям, предъявляемым производителями эпитаксиальных структур по технологии молекулярно-пучковой эпитаксии. Разработан проект технических условии на монокристаллы, полуизолирующего арсенида галлия с номиналом диаметра 76,2 мм и ориентацией <310>.


Возврат к списку