:

Разработки и проекты

Исследование дефектов в гетерoструктурах AlGaN/GaN и их влияние на электрические характеристики модуляционно легированных структур, предназначенных для использования в мощных высокочастотных полевых транзисторах

Исследованы электрические свойства и спектры дефектных состояний в эпитаксиальных плёнках и гетероструктурах широкозонных нитридов третьей группы. Целью работы было выявление дефектов, которые играют существенную роль в компенсации проводимости высокоомных буферных слоев полевых транзисторов на основе таких нитридов, установление природы центров ответственных за ряд паразитных явлений в нитридных транзисторах, изучение влияния облучения на электрофизические характеристики нитрида галлия и родственных материалов. В процессе работы определены типы основных глубоких центров обнаруживаемых в нитриде галлия, полученном различными методами, установлена связь важнейших центров с теми или иными примесями или дефектами, изучены характеристики интерфейсных состояний в различных гетероструктурах и МДП структурах, а также влияние на эти характеристики облучения высокоэнергетическими частицами. В результате исследований определены главные электронные и дырочные ловушки, связанные с дислокациями, получены данные о глубоких центрах,создаваемых легированием примесями переходных металлов, идентифицированы главные радиационные дефекты в нитридах третьей группы, возникающие при нейтронном и электронном облучении. Также охарактеризованы спектры интерфейсных ловушек на границе с различными окислами, используемыми для пассивации нитридных транзисторных структур. 


Возврат к списку