:

Разработки и проекты

Разработка комплекса методов выращивания высокосовершенных монокристаллов полупроводниовых соединений AIIIBV для применения в микро- и оптоэлектронике

Разработана рабочая конструкторская документация на ростовую установку для выращивания монокристаллов соединений AIIIBV методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. Изготовлен опытный образец ростовой установки, прошедшей предварительные и приёмочные испытания в соответствии с разработанными программами и методиками.

Разработаны комплекс методов выращивания монокристаллов соединений AIIIBV (GaAs, InAs, GaSb, InSb) с высоким структурным совершенством методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле, рабочая технологическая документация (технологические инструкции, маршрутные карты) применительно к опытному образцу ростовой установки, а также проекты технических условий на монокристаллы соединений с высоким структурным совершенством. Изготовлены опытные образцы монокристаллов GaAs, InAs, GaSb, InSb с высоким структурным совершенством, которые будут использованы для проведения материаловедческих исследований в области получения высокосовершенных монокристаллов полупроводниковых материалов.
 


Возврат к списку