:

Разработки и проекты

Разработка технологических приемов получения эпитаксиалъных и квантоворазмершд структур на основе соедиений А3В5 и их твердых растворов

Определены оптимальные параметры выращивания эпитаксиалъных слоев твердого раствора InGaAsSb-АlGаАsSb, обеспечивашие получение структур с концентрацией носителей заряда 3-7•1017см, толщиной 500±20 мкм.

Опробована опытная партия эпитаксиалmных структур при изготовлении пробных фотодиодов, с областью спектральной чувствительности в диапазоне 1,0 - 2,4 мкм.


Возврат к списку