Разработки и проекты

Изучены основные закономерности дефектообразевания в бездислокационных пластинах кремния большого диаметра, обусловленного распадом пересыщенного твердого раствора кислорода при многоступенчатых термообработках.

Полученные результаты могут служить основой для разработки технологии создания в пластинах эффективного внутреннего геттера для загрязняющих быстродиффундирущих примесей.

Исследовано влияние дислокаций на спектры глубоких центров, рекомбинационные характеристики и электрические характеристики образцов нитрида галлия. Изучена электронная структура интерфейсов в гетероструктурах на основе AlGaN/GaN, GaN/SiC, AlGaN/SiC. Исследованы электрические и электро-люминесцентные характеристики различных типов гетероструктур AlGaN/GaN/InGaN, разработаны исходные требования к структурам, предназначенным для использования в светодиодах на их основе.

Экспериментально показана принципиальная возможность проведения процесса на шайбах кремния диаметром 150 мм. на номинала удельного сопротивления в диапазоне 4,5-80 Ом.см.