:

Разработки и проекты

Разработка технологии получения эпитаксиальных структур GaSb- GalnAsSb-GaSb с уровнем обратных темновых токов менее <1×I0-5% при диаметре фоточувствительной площадки не менее 1,5 мм

Разработана технология получения эпитаксиальных структур GaSb-GalnAsSb-GaSb с минимальным рассогласованием периодов решетки подложки и эпитаксиальных слоев, обеспечивающим получение пробных меза-диодов на основе указанных структур с уровнем обратного темнового тока менее <1×I0-5%. А при напряжении обратного смещения Uобр=0,3 В и диаметре фоточувствительной площадки не менее 1,5 мм.

Изготовлена опытная партия эпитаксиальных структур GaSb-GalnAsSb-GaSb для фотодиодов.

Проведен 100%-й разрушающий контроль 2-х эпитаксиальных структур с целью определения их однородности по величине обратного темнового тока и определения количества проверяемых меза-фотодиодов от структуры, подтверждающих достоверность проведенных измерений.
 


Возврат к списку