:

Разработки и проекты

Разработка процесса кристализационной очистки металлического индия направленной кристаллизацией в электромагнитном поле

Разработан процесс кристаллизационной очистки металлического индия направленной кристаллизацией в электромагнитном поле.

Созданы лабораторные установки для направленной кристаллизации в электромагнитном поле.

 

Определены основные зависимости кристаллизационной очистки индия направленной кристаллизацией:

  • характер и интенсивность перемешивания расплава;
  • скорость роста кристалла;
  • распределение примесей.

Показана высокая эффективность направленной кристаллизации.

Концентрация примесей снижается, %: Bi, Си, Ni, Fe - до уровня 1•10-6; Sn, Al - до 5•10-5;Ga -(кристаллизацией совместно с щелочной обработкой)до 5•10-6.

Достигнута высокая степень очистки индия. Показана возможность очистки примесей с коэффициентом распределения близким к 1.
 


 


Возврат к списку