:

Разработки и проекты

Исследование закономерностей дефектообразования в наноразмерных композициях на основе кремния

Установлены закономерности дефектообразования в тонкоплёночных гетероэпитаксиальных структурах SiGe(C)/Si, создаваемых методами прямого термокомпрессионного соединения пластин и ионной имплантации, выданы рекомендации по оптимизации условий их получения.

Предложен новый механизм зарождения дислокаций несоответствия в гетероструктурах SiGe/Si. Предложены и экспериментально опробованы новые подходы к выращиванию гетероструктур SiGe/Si, позволяющие получать «виртуальные» подложки с низкой плотностью наклонных дислокаций на рабочей поверхности. Получены экспериментальные данные, описывающие закономерности дефектообразования в кремниевых композициях, получаемых методом прямого термокомпрессионного соединения пластин разной кристаллографической ориентации, и создана методическая база для их структурной характеризации.
 


Возврат к списку