\"\"
:
Продукция и услугиЭпитаксиальные слои GaN

Эпитаксиальные слои GaN

Приборы на основе GaN, такие как высокоэффективные светодиоды и инжекционные лазеры на видимую/ультрафиолетовую область спектра, УФ фотоприёмники, мощные СВЧ-транзисторы в ближайшие десятилетия будут определять развитие опто- и СВЧ-электроники. В России объявлена президентская программа «Новый свет», важнейшей частью которой должно стать массовое производство светодиодов на основе нитрида галлия.

 

Параметры структур для квазиподложек нитрида галлия

 

 Тип структуры n – Al2O3 (подложка)
n – GaN (эпитаксиальный слой)
 Параметры подложки:
 плоскость ориентации c (0001)
r (1012)
 толщина, мкм  430
 Буферный слой Ti, нм  30
 Параметры эпитаксиального слоя:
 концентрация носителей заряда, см-3  (300К)>1018
 толщина, мкм  300-400
 Площадь структуры, см2  20

 

Схема реактора для получения квазиподложек нитрида галлия.