\"\"
:
Продукция и услугиЭпитаксиальные слои InGaAsSb/GaSb

Эпитаксиальные слои InGaAsSb/GaSb

Параметры эпитаксиальных структур InGaAsSb/GaSb для фотоприемников на спектральный диапазон 1,6÷2,4 мкм

 

Тип структуры n GaSb (подложка),
n In0,24Ga0,76As0,21Sb0,79
p In0,24Ga0,76As0,21Sb0,79 (I)
p
GaSb (II)
Параметры подложки:
плоскость ориентации  <100>±10'
концентрация носителей заряда, см-3  (0,5÷1)·1018
толщина подложки в эпитаксиальной структуре, мкм  500±20
Параметры эпитаксиального слоя (I):
тип проводимости  n
толщина области, мкм  2÷3
тип проводимости  p
толщина области, мкм

 0,5÷1,0

 

Возможный объем производства: до 500 см2/год.

Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный на спектральный диапазон 1,6÷2,4 мкм, работающих при комнатной температуре.