\"\"
:
Продукция и услугиАрсенид галлия (GaAs)

Арсенид галлия (GaAs)

Монокристаллы арсенида галлия предназначены для использования в производстве дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, дискретных и матричных фотоприемников, светодиодов, фотокатодов, преобразователей солнечной энергии, детекторов ионизирующих излучений, оптических изделий для ввода-вывода, фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.

 

 

Метод выращивания Метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC)
Кристаллогра-фическая ориентация оси слитка (100), (111), (110), (211), (310)
Номинал диаметра слитка, мм 50,8; 76,2
Материал полуизолирующий полупроводящий
легирующая
примесь
нелегированный Si или Те Zn
тип проводимости n n p
концентрация носителей заряда, см-3 - 1×1017-3×1018 1х1017-3×1019
удельное сопротивление, Ом·см >1×107 - -
подвижность,
см2/В·с
>5000 4200-1200 170-40
плотность дисло-каций, см-2 Ø 50.8 мм

Ø 76.2 мм
 
<5×104 
 
<8×104 
 
<5×104 
 
<8×104 
 
<5×104 

<8×104 

 

Возможна поставка монокристаллов с параметрами, отличающимися от указанных в таблице.