\"\"
:
Продукция и услугиЭпитаксиальные слои CdHgTe

Эпитаксиальные слои CdHgTe

Параметры эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe n и p-типа проводимости (опытно-промышленное производство)

 

размеры рабочей поверхности, мм2 ø30, 20×20
размеры рабочей поверхности, мм2 ø37, 20×30
толщина слоя, мкм 15±5
состав, мол. доля CdTe, x x=0,208÷0,230
x=0,207÷0,300
однородность состава по площади, мол. доля CdTe, Δx ±0,002
тип электропроводности n, p
концентрация основных носителей заряда при 77К, см-3 n=(1,0÷5,0)·1014
p=(0,5÷3,0)·1016
подвижность основных носителей заряда при 77К, см2/В·с µn≥1,0·105
µp≥300
время релаксации фотопроводимости (77К), с ≥3·10-7(n-тип)

≥3·10-8(p-тип)
плотность дислокаций, см-2 <5·104
малоугловые границы, включения второй фазы нет

 

 

Возможный объем производства: до 1000 см2/год.

Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм.

Потребители продукции: ОАО "МЗ "Сапфир", ФГУП "НПО "Орион", ФГУП "НПО "Альфа".