:

Эпитаксиальные слои CdHgTe

Параметры эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe n и p-типа проводимости (опытно-промышленное производство)

 

Размеры рабочей поверхности, мм2

1) ø30, 20×20

2) ø37, 25×25

3) ø45, 30×30

Номинальное значение толщины эпитаксиального слоя, мкм

15±5

Состав, мол. доля CdTe, х

х1: от 0,190 до 0,230

х2: от 0,260 до 0,350

Однородность состава по площади, мол. доля CdTe, Δx

±0,002

Тип электропроводности

n (н/л, легированный In),

p (вакансионный)

Концентрация основных носителей заряда при 77 К, см-3

n=(1,0÷5,0) × 1014 (для х1)

p=(0,5÷2,0) × 1016 (для х1)

p=(1,0÷5,0) × 1016 (для х2)

Подвижность основных носителей заряда при 77 К, см2/В×с

µn≥1,0×105 (для х1)

µp≥450 (для х1)

µp≥300 (для х2)

Время релаксации фотопроводимости (77К), с

более 5×10-7(n-тип)

более 3×10-8(p-тип)

Плотность дислокаций, см-2

менее 5×104

Отклонение от плоскостности рабочей поверхности эпитаксиального слоя на базовой длине 25 мм, мкм

не более 3

Малоугловые границы, включения второй фазы, сколы, раковины, капли раствора-расплава

отсутствуют

 

CdHgTe.png

 

Возможный объем производства: до 1000 см2/год.

Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм.

Потребители продукции: ОАО "МЗ "Сапфир", ФГУП "НПО "Орион", ФГУП "НПО "Альфа".