Эпитаксиальные слои CdHgTe

Размеры рабочей поверхности, мм²

1) ø30, 20×20

2) ø37, 25×25

3) ø45, 30×30

Номинальное значение толщины эпитаксиального слоя, мкм

15±5

Состав, мол. доля CdTe, х

х₁: от 0,190 до 0,230

х₂: от 0,260 до 0,350

Однородность состава по площади, мол. доля CdTe, Δx

±0,002

Тип электропроводности

n (н/л, легированный In),

p (вакансионный)

Концентрация основных носителей заряда при 77 К, см^-3

n=(1,0÷5,0) × 10¹⁴ (для х₁)

p=(0,5÷2,0) × 10¹⁶ (для х₁)

p=(1,0÷5,0) × 10¹⁶ (для х₂)

Подвижность основных носителей заряда при 77 К, см²/В×с

µ_n≥1,0×10⁵ (для х₁)

µ_p≥450 (для х₁)

µ_p≥300 (для х₂)

Время релаксации фотопроводимости (77К), с

более 5×10^-7(n-тип)

более 3×10^-8(p-тип)

Плотность дислокаций, см^-2

менее 5×10⁴

Отклонение от плоскостности рабочей поверхности эпитаксиального слоя на базовой длине 25 мм, мкм

не более 3

Малоугловые границы, включения второй фазы, сколы, раковины, капли раствора-расплава

отсутствуют