Эпитаксиальные слои CdHgTe
Размеры рабочей поверхности, мм2 |
1) ø30, 20×20 2) ø37, 25×25 3) ø45, 30×30 |
Номинальное значение толщины эпитаксиального слоя, мкм |
15±5 |
Состав, мол. доля CdTe, х |
х1: от 0,190 до 0,230 х2: от 0,260 до 0,350 |
Однородность состава по площади, мол. доля CdTe, Δx |
±0,002 |
Тип электропроводности |
n (н/л, легированный In), p (вакансионный) |
Концентрация основных носителей заряда при 77 К, см-3 |
n=(1,0÷5,0) × 1014 (для х1) p=(0,5÷2,0) × 1016 (для х1) p=(1,0÷5,0) × 1016 (для х2) |
Подвижность основных носителей заряда при 77 К, см2/В×с |
µn≥1,0×105 (для х1) µp≥450 (для х1) µp≥300 (для х2) |
Время релаксации фотопроводимости (77К), с |
более 5×10-7(n-тип) более 3×10-8(p-тип) |
Плотность дислокаций, см-2 |
менее 5×104 |
Отклонение от плоскостности рабочей поверхности эпитаксиального слоя на базовой длине 25 мм, мкм |
не более 3 |
Малоугловые границы, включения второй фазы, сколы, раковины, капли раствора-расплава |
отсутствуют |
Возможный объем производства: до 1000 см2/год.
Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм.
Потребители продукции: ОАО "МЗ "Сапфир", ФГУП "НПО "Орион", ФГУП "НПО "Альфа".