Structure
科学研究机构 "激烈的美特" - Об институте
- Исследования
- Продукция и услуги
- Оборудование
- Технологические решения
- Продукция
- Технология получения поликристаллического кремния
- Специальное оборудование для производства полупроводников и металлов
- Арсенид галлия (GaAs)
- Арсенид индия (InAs)
- Антимонид галлия (GaSb)
- Антимонид индия (InSb)
- Галогениды таллия и серебра
- Германий
- Кристаллы кадмий-цинк-теллур (CdZnTe)
- Подложки CdZnTe
- Эпитаксиальные слои CdHgTe
- Эпитаксиальные слои InGaAsSb/GaSb
- Эпитаксиальные слои GaN
- Высокочистые соединения
- Ниобий высокой чистоты
- Индий высокой чистоты
- Галлий высокой чистоты
- Рений
- Никелевые лигатуры
- Титановые припои
- Водоактивируемые химические источники тока
- Нанопорошки редких металлов
- Обогащение рудного и техногенного сырья
- Разработка электрических схем и изготовление настенных и напольных шкафов управления
- Особо чистые вещества и материалы различного функционального назначения, включая электронику и фотонику
- Анализ и сертификация
- Проектный комплекс
- Поставщикам
